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三維立體成像X射線顯微鏡在元器件失效分析中的應(yīng)用

在電子元器件失效分析中,工程師經(jīng)常要借助各種分析設(shè)備或技術(shù)方法,找到導(dǎo)致元器件失效的“元兇”。其中非破壞性分析在失效分析中占有舉足輕重的地位。常見的非破壞性分析方法包括外部檢查、PIND、密封性檢測(cè)、
產(chǎn)品描述

在電子元器件失效分析中,工程師經(jīng)常要借助各種分析設(shè)備或技術(shù)方法,找到導(dǎo)致元器件失效的“元兇”。其中非破壞性分析在失效分析中占有舉足輕重的地位。常見的非破壞性分析方法包括外部檢查、PIND、密封性檢測(cè)、C-SAM、X射線檢查等等。近幾年,三維立體成像X射線顯微鏡(顯微CT)逐漸進(jìn)入電子元器件分析領(lǐng)域,推動(dòng)了電子元器件非破壞性分析技術(shù)的快速發(fā)展。擁有一臺(tái)顯微CT,就像擁有一雙“透視眼”,在無(wú)損狀態(tài)下便能解析各類元器件的結(jié)構(gòu),再借助于分析軟件便可以重構(gòu)出元器件的三維模型,精確、快速地進(jìn)行失效定位,在減少工作量、增加工作效率的同時(shí)提升失效分析的成功率。

顯微CT的組成與原理

顯微CT的成像系統(tǒng)主要由微焦點(diǎn)射線源、精密樣品臺(tái)、探測(cè)器、控制系統(tǒng)、成像和分析軟件組成。微焦點(diǎn)射線源發(fā)射出來(lái)的X射線束在穿過(guò)待測(cè)樣品時(shí),由于樣品中不同密度的材料對(duì)X射線的吸收率的不同而表現(xiàn)出不同的穿透率,經(jīng)過(guò)探測(cè)器而形成對(duì)應(yīng)的透視圖像,再通過(guò)分析軟件便可以重構(gòu)出待測(cè)樣品的三維立體圖像。

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圖1 顯微CT內(nèi)部各部件之間關(guān)系原理圖

顯微CT的成像掃描過(guò)程:微焦點(diǎn)射線源和探測(cè)器保持不動(dòng),通過(guò)轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)獲取不同角度的透視圖像,轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)360°,完成一次圓周掃描,獲取系列視圖像。三維成像過(guò)程為:首先利用一次圓周掃描獲取系列透視圖像,然后采用相應(yīng)的重建算法,重建樣品區(qū)域內(nèi)被測(cè)區(qū)域的吸收系數(shù)的三維分布。根據(jù)吸收系數(shù)的三維重建,進(jìn)一步通過(guò)軟件可以觀察被測(cè)樣品內(nèi)部任意截面的信息,并可以對(duì)感興趣部分進(jìn)行三維渲染和展示。

典型應(yīng)用案例

結(jié)構(gòu)分析

顯微CT完成掃描后,借用三維重構(gòu)軟件,可以得到BGA模塊的三維模型(見圖2)。此外,還可以選擇自己感興趣的區(qū)域進(jìn)行局部重構(gòu)(見圖3),斷層掃描(見圖4)還可以幫我們了解到芯片基板中不同層的金屬走線,以便我們?cè)诓黄茐腂GA模塊的前提下,更為深入的了解其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

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圖4 BGA芯片基板的斷層掃描

失效定位

通過(guò)對(duì)比分析器件的結(jié)構(gòu)(見圖5),檢查器件結(jié)構(gòu)是否存在異常,以此來(lái)定位到樣品的失效點(diǎn)。通過(guò)顯微CT,還可以直觀明了地觀察失效點(diǎn)的物理形貌特征(見圖6)。

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小結(jié):顯微CT可以幫助我們更清晰透徹的了解分析對(duì)象,顯著提高非破壞性分析的準(zhǔn)確性。顯微CT結(jié)合電測(cè)試、C-SAM等非破壞性分析手段對(duì)樣品內(nèi)部狀態(tài)進(jìn)行比較與分析,為后續(xù)破壞性分析項(xiàng)目提供支持,降低破壞性分析的風(fēng)險(xiǎn),提高失效分析效率與成功率。在溫度循環(huán)等與試驗(yàn)次數(shù)、持續(xù)時(shí)間相關(guān)的試驗(yàn)中,顯微CT可以在不影響后續(xù)試驗(yàn)的情況下對(duì)所關(guān)注部位進(jìn)行定性和定量的分析,為電子元器件可靠性和失效機(jī)理模型研究提供了非常有利的支撐。

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